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一、 檢測(cè)甲烷氣體濃度含量的意義
隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展,對(duì)煤炭的需求也與日俱增,在保證采礦業(yè)順利進(jìn)行時(shí),安全是非常重要的。近年來(lái),我國(guó)煤礦多次發(fā)生井下瓦斯事故。瓦斯的主要成分是甲烷(CH4),約占83-89%,它是在成煤過(guò)程中形成并儲(chǔ)存于煤層中的氣體。甲烷氣體無(wú)色、無(wú)味、無(wú)嗅,它本身無(wú)毒,對(duì)人體的主要危害是超限時(shí)能引起人窒息死亡,但它具有易燃、易爆等特點(diǎn),與空氣混合達(dá)到一定濃度后,遇高溫火源引起燃燒或爆炸。歷史上,作為煤礦事故的主要原因之一的甲烷爆炸事件頻繁發(fā)生,造成了重大傷亡和經(jīng)濟(jì)損失,教訓(xùn)深刻。因此,為避免煤礦事故的發(fā)生,井下氣體的檢測(cè)非常重要。
二、常見(jiàn)的檢測(cè)甲烷氣體濃度的測(cè)量方法
市面上常見(jiàn)的檢測(cè)甲烷氣體濃度的測(cè)量方法有:載體催化型、光干涉型、熱導(dǎo)型和紅外光譜吸收型。前三種為傳統(tǒng)甲烷傳感器,檢測(cè)精度低,且檢測(cè)范圍窄,難以檢測(cè)高濃度的甲烷。同時(shí),由于傳感器的一致性、穩(wěn)定性差,需要經(jīng)常校準(zhǔn),使用不便且維護(hù)成本高。
第四種為紅外吸收光譜檢測(cè)技術(shù),主要技術(shù)包括非色散紅外(NDIR)、激光式(TDLAS)。其中,TDLAS技術(shù)采用了半導(dǎo)體激光光源,MHz級(jí)別的光譜線寬遠(yuǎn)小于待測(cè)氣體單根吸收譜線的線寬,頻率掃描范圍可避開(kāi)其他氣體吸收譜線,有效避免交叉干擾,不會(huì)對(duì)其它氣體產(chǎn)生誤報(bào),而傳統(tǒng)NDIR紅外光源的線寬則達(dá)到數(shù)百GHz。該項(xiàng)技術(shù)于2018年前后批量應(yīng)用于燃?xì)忾y井的甲烷泄漏監(jiān)測(cè),屬于最新一代的甲烷泄漏監(jiān)測(cè)技術(shù)。
三、激光甲烷遙測(cè)儀的工作原理
基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜技術(shù)(TDLAS)原理,每種氣體分子都會(huì)吸收特定波長(zhǎng)的光。當(dāng)一束激光穿過(guò)氣團(tuán)后,輸出光將會(huì)減弱或者損失部分能量。在光譜學(xué)上通過(guò)分析某種氣體特定吸收譜線對(duì)光的吸收程度,計(jì)算出該氣體的濃度。這種吸收不受溫度濕度壓力等環(huán)境影響,因而具有高度的穩(wěn)定性,可用于甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、一氧化碳(CO)、氨氣(NH3)等氣體探測(cè)。
四、 激光甲烷遙測(cè)儀的結(jié)構(gòu)組成
激光甲烷氣體遙測(cè)儀,包括用于發(fā)射激光和接收反射偏轉(zhuǎn)光的光機(jī)系統(tǒng)、用于檢測(cè)分析激光吸收量的信號(hào)處理系統(tǒng)、用于預(yù)警甲烷濃度超標(biāo)的顯示報(bào)警系統(tǒng)以及殼體組件。
通過(guò)向目標(biāo)點(diǎn)(氣體管道、天花板、墻體、地板、地面等)發(fā)射激光束,然后檢測(cè)從目標(biāo)點(diǎn)被反射回來(lái)的激光束的輻射數(shù)值,經(jīng)過(guò)信號(hào)處理系統(tǒng)來(lái)判斷被測(cè)試環(huán)境中是否有氣體泄漏,并將氣體濃度以ppm-m或%vol.為單位顯示在遙測(cè)儀中。在使用時(shí),只需將激光光束指向待測(cè)目標(biāo)上,用戶無(wú)需進(jìn)入到待測(cè)管道所在的潛在危險(xiǎn)區(qū)域。
五、如何為激光甲烷遙測(cè)儀選擇合適的器件
北京卓立漢光長(zhǎng)期以來(lái)一直專注于激光光譜學(xué)在中國(guó)市場(chǎng)的應(yīng)用,經(jīng)過(guò)二十多年的耕耘,我們可以為客戶提供多款采用TDLAS技術(shù)進(jìn)行甲烷氣體檢測(cè)的產(chǎn)品。
DFB(Distribution Feedback Laser)激光器
DFB(Distribution Feedback Laser)激光器是目前市面上TDLAS系統(tǒng)中最常見(jiàn)的激光器,它作為發(fā)射光源,具有優(yōu)秀的單色性和窄線寬,以及出色的靈敏性和準(zhǔn)確度。
如下列表是中心波長(zhǎng)為1653.7nm的DM激光器的主要參數(shù)。
部分典型MD激光器的列表如下
產(chǎn)品型號(hào) | 中心波長(zhǎng) (nm) | 輸出功率 (mW) | 檢測(cè)氣體 | 封裝形式 | 備注說(shuō)明 |
EP760-0-VC | 760 | 0.5-1 | ( 氧氣)02 | TO56/TO39 | VCSEL 760nm+/-1nm |
EP1273-0-DM | 1273 | 5-12 | ( 氟化氫 )HF | T056/T039/蝶形 | 1273nm+/-1nm |
EP1278-1-DM | 1278.1 | 5-12 | ( 氟化氫 )HF | T056/T039/蝶形 | 1278.1nm+/-1nm |
EP1343-0-DM | 1343 | 5-12 | ( 高溫水 )H2O | T056/T039/蝶形 | 1343nm+/-1nm |
EP1392-5-DM | 1392.5 | 5-12 | ( 水分子 )H2O | T056/T039/蝶形 | 1392.5nm+/-1nm |
EP1398-0-DM | 1398 | 5-10 | ( 高溫水 )H2O | T056/T039/蝶形 | 1398nm+/-1nm |
EP1512-2-DM | 1512.2 | 7-10 | ( 氨氣)NH3 | T056/T039/蝶形 | 1512.2nm+/-1 nm |
EP1521-0-DM | 1521 | 5-12 | ( 乙快 )C2H2 | T056/T039/蝶形 | 1521nm+/-1nm |
EP1531-0-DM | 1531 | 5-10 | ( 乙烘 )C2H2 | T056/T039/蝶形 | 1531nm+/-1nm |
EP1564-5-DM | 1564 | 5-10 | (一氧/二氧化碳 )CO/C02 | T056/T039/蝶形 | 1564.5nm+/-1nm |
EP1566-0-DM | 1566 | 5-10 | (一氧化碳 )CO | T056/T039/蝶形 | 1566nm+/-1nm |
產(chǎn)品型號(hào) | 中心波長(zhǎng) (nm) | 輸出功率 (mW) | 檢測(cè)氣體 | 封裝形式 | 備注說(shuō)明 |
EP1573-3-DM | 1573.3 | 4-8 | (二氧化碳 )CO2 | T056/T039/蝶形 | 1573.3nm+/-1nm |
EP1574-5-DM | 1574.5 | 4-8 | (硫化氫 )H2S | T056/T039/蝶形 | 1574.5nm+/-1nm |
EP1578-0-DM | 1578 | 4-8 | (一氧/二氧化碳/硫化氫)CO/C02/H2S | T056/T039/蝶形 | 1578nm+/-1nm |
EP1590-0-DM | 1590 | 5-8 | (硫化氫 )H2S | T056/T039/蝶形 | 1590nm+/-1nm |
EP1602-9-DM | 1602.9 | 5-8 | (二氧化碳 )CO2 | T056/T039/蝶形 | 1602.9nm+/-1nm |
EP1625-0-DM | 1625 | 5-8 | (乙炳 )CzH4 | T056/T039/蝶形 | 1625nm+/-1nm |
EP1629-5-DM | 1629.5 | 5-8 | (乙烯 )CzH4 | T056/T039/蝶形 | 1629.5nm+/-1nm |
EP1630-2-DM | 1630.2 | 5-8 | (乙烯 )CzH4 | T056/T039/蝶形 | 1630.2nm+/-1nm |
EP1651-0-DM | 1651 | 3-10 | (甲院)CH4 | T056/T039/蝶形 | 1651nm+/-1nm |
EP1653-7-DM | 1653.7 | 3-5 or 5-8 | (甲院)CH4 | T056/T039/蝶形 | 1653.7nm+/-1nm |
EP1654-DM-B | 1653.7 | 1-2 | (甲院)CH4 | T039 | 1653.7nm+/-1nm |
EP1678-6-DM | 1678.6 | 3-8 | (乙院)C2H6 | T056/T039/蝶形 | 1678.6nm+/-1nm |
EP1680-2-DM | 1680.2 | 3-8 | (乙院)C2H6 | T056/T039/蝶形 | 1680nm+/-1nm |
EP1683-0-DM | 1683 | 3-8 | (乙院)C2H6 | T056/T039/蝶形 | 1683nm+/-1nm |
EP1686-4-DM | 1686.4 | 3-8 | (丙酣 )C3H60 | T056/T039/蝶形 | 1686.4nm+/-1nm |
EP1742-2-DM | 1742.2 | 4-8 | (氯化氫)HCI | T056/T039/蝶形 | 1742.2nm+/-1nm |
EP1854-0-DM | 1854 | 2-7 | (水分子)HzO | T056/T039/蝶形 | 1854nm+/-1nm |
EP1877-0-DM | 1877 | 2-7 | (水分子)HzO | T056/T039/蝶形 | 1877nm+/-1nm |
EP2004-0-DM | 2004 | 1-3 | (二氧化碳)CO2 | T056/T039/蝶形 | 2004nm+/-1nm |
EP2050-0-DM | 2050 | 1.5-2 | (二氧化碳)CO2 | 蝶形 | 2050nm+/-1nm |
EP2122-0-DM | 2122 | 1-2 | (氫氣)Hz | 蝶形 | 2122nm+/-1nm |
EP2330-0-DM | 2330 | 1-3 | (一氧化碳)CO | T039 | 2325nm-2336nm |
EP2327-0-DM | 2327 | 1-3 | (一氧化碳)CO | T039 | 2325nm 2336nm |
InGaAs紅外探測(cè)器
高性能InGaAs紅外探測(cè)器具有快速的響應(yīng)時(shí)間、出色的靈敏度和長(zhǎng)期的可靠性。根據(jù)In、Ga、As三種元素的比例不同,探測(cè)器有四種截止選擇,分別為1.9µm, 2.2µm,2.4µm和2.6µm,為客戶的不同應(yīng)用提供最合適的產(chǎn)品。
高性能InGaAs紅外探測(cè)器有非制冷和半導(dǎo)體制冷兩種溫度控制模式可選。探測(cè)器內(nèi)置熱電冷卻器(TEC),將溫度控制在-80℃至-20℃,極大降低了熱噪聲和背景輻射對(duì)輸出信號(hào)的影響。同時(shí),內(nèi)部一體化集成低噪聲前置運(yùn)放+溫度控制單元,使其在保證高靈敏度和響應(yīng)時(shí)間的同時(shí),具有高穩(wěn)定性和高信噪比,能有效屏蔽電磁干擾,結(jié)構(gòu)緊湊,方便操作,廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、溫度測(cè)量、安全監(jiān)測(cè)、醫(yī)療分析、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
主要InGaAs紅外探測(cè)器選型表
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